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立陶宛Ekspla 室温中红外半导体激光器
品牌立陶宛Ekspla
型号FL21000055AZ
同类产品半导体激光器(35件)
供应商报价

面议

所在地欧洲
北京欧兰科技发展有限公司

第2年

企业类型:国有
所在地:北京 海淀区

售全国

经营业务:
更新时间:2024-06-22 09:42:20
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立陶宛Ekspla 室温中红外半导体激光器技术参数
品牌 立陶宛Ekspla 型号 FL21000055AZ
立陶宛Ekspla 室温中红外半导体激光器详细介绍

Laser diodes

Type-I laser diodes:

Brolis Semiconductors develops mid-infrared laser diodes based on type-I optical transition on GaSb technology platform. Type-I optical transition results when an electron and a hole recombines across the effective bandgap of the quantum well in the active semiconductor material.

Type-I transition advantages:

  • High gain

  • Low operating voltage

  • Wavelength reproducibility

  • CW operation at RT

Laser diodes based on type-I transition combine advantages of highest optical gain and very low voltage drop ( i.e. Brolis laser diodes have operating voltages < 1 V compared to ~15 V quantum cascade lasers QCLs and ~3-5 V interband cascade lasers ICLs) resulting in extremely low input powers and uncooled room-temperature operation in continuous-wave mode.

For more information regarding our standard products see:

Single-transversal mode Fabry-Perot lasers

 
Wavelength (μm)           Operation temperatureOperation modeOutput power (mW/facet)*AvailabilityData sheet
2.1RTCW10-15In-stockinfo
2.73RTCW7In-stockinfo
2.72-3.0RTCW5-7On demandinfo
3.0-3.4RTCW5On demandinfo
3.4-3.75RTPulsed5On demandinfo

* at 500 mA drive current for a 2 mm x 4 μm wide emitter; CW – continuous wave; RT – room temperature.

For more information regarding our products, contact us at oplan@263.net

Custom wavelengths and powers are available on-request!


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