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等离子去胶机 NPC-4000（M）等离子去胶机（刻蚀机）那诺-马斯特

NPC-4000（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备

Cleaning清洗去胶系统等离子去胶清洗及灰化系统
更新时间：2024-06-22 23:34:44 游览次数：9
plasma等离子清洗机 NPC-3500（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）那诺-马斯特

NPC-3500（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列

Cleaning清洗去胶系统等离子去胶清洗及灰化系统
更新时间：2024-06-22 23:34:44 游览次数：8
等离子清洗设备 NPC-3500（M）等离子去胶机（刻蚀机）那诺-马斯特

NPC-3500（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备

Cleaning清洗去胶系统等离子去胶清洗及灰化系统
更新时间：2024-06-22 23:34:44 游览次数：8
ald原子层沉积 NLD-3000原子层沉积系统那诺-马斯特

NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有

Growth生长系统 ALD原子层沉积系统
更新时间：2024-06-22 23:34:43 游览次数：9
ald原子层沉积设备 NLD-4000（M）原子层沉积系统那诺-马斯特

NLD-4000（M）原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉

Growth生长系统 ALD原子层沉积系统
更新时间：2024-06-22 23:34:43 游览次数：8
ald原子层沉积 NLD-4000（ICPA）全自动PEALD系统那诺-马斯特

NLD-4000（ICPA）全自动PEALD系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在A

Growth生长系统 ALD原子层沉积系统
更新时间：2024-06-22 23:34:43 游览次数：8
原子层沉积设备 NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统那诺-马斯特

NLD-4000（A）全自动原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原

Growth生长系统 ALD原子层沉积系统
更新时间：2024-06-22 23:34:43 游览次数：7
离子束刻蚀机 NIM-4000（A）全自动离子铣刻蚀那诺-马斯特

NIM-4000（A）全自动离子铣刻蚀：利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行微细加工。

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:43 游览次数：9
干法刻蚀机 NIM-4000（M）离子铣刻蚀系统那诺-马斯特

NIM-4000（M）离子铣刻蚀系统：利用离子束轰击固体表面的溅射作用，剥离加工各种几何图形，通过大面积离子源产生的离子束，可对固体材料溅射刻蚀，对固体器件进行微细加工。

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:42 游览次数：6
离子束刻蚀机 NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀那诺-马斯特

NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:42 游览次数：7
离子束刻蚀机 NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀那诺-马斯特

NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:42 游览次数：8
电子束刻蚀 NIE-3500（R）RIBE反应离子束刻蚀那诺-马斯特

NIE-3500（R）RIBE反应离子束刻蚀：可以用于光栅刻蚀，SiO2二氧化硅、Si 硅以及金属等的深槽刻蚀。此外，还可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。系统可以兼容反应气体以及非反应气体，比如Ar

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:42 游览次数：6
离子束刻蚀 NIE-4000IBE离子束刻蚀系统那诺-马斯特

NIE-4000IBE离子束刻蚀系统：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:41 游览次数：8
ICP刻蚀 NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机那诺-马斯特

NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，

Etching刻蚀系统 ICP及DRIE刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:41 游览次数：10
RIE刻蚀 NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀那诺-马斯特

NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的

Etching刻蚀系统 ICP及DRIE刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:41 游览次数：8
刻蚀机 NRE-4000（M）反应离子刻蚀那诺-马斯特

NRE-4000（M）反应离子刻蚀：独立式RIE系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断

Etching刻蚀系统 RIE反应离子刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 23:34:41 游览次数：8