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薄膜沉积系统 NLD-3500(A)全自动原子层沉积设备那诺-马斯特

ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统

Growth生长系统 ALD原子层沉积系统
更新时间：2024-06-22 16:03:38 游览次数：8
原子层沉积 NLD-4000(ICPM)PEALD系统那诺-马斯特

ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统

Growth生长系统 ALD原子层沉积系统
更新时间：2024-06-22 16:03:38 游览次数：9
MOCVD设备 NMC-4000（A）全自动PAMOCVD系统那诺-马斯特

针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分

Growth生长系统 MOCVD设备
更新时间：2024-06-22 16:03:38 游览次数：9
等离子刻蚀 NRE-3000型RIE-PE刻蚀机那诺-马斯特

PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到

Etching刻蚀系统 RIE-PE刻蚀机
更新时间：2024-06-22 16:03:38 游览次数：9
反应离子刻蚀 NRE-3500型RIE-PE刻蚀机那诺-马斯特

PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀一体机，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大

Etching刻蚀系统 RIE-PE刻蚀机
更新时间：2024-06-22 16:03:37 游览次数：9
等离子体刻蚀 NRE-4000型RIE-PE刻蚀机那诺-马斯特

提供PC控制的PE刻蚀RIE刻蚀一体机，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该

Etching刻蚀系统 RIE-PE刻蚀机
更新时间：2024-06-22 16:03:37 游览次数：8
那诺-马斯特 NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀

是一款自动放片/取片，并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 16:03:37 游览次数：9
那诺-马斯特 NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀

如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过

Etching刻蚀系统 IBE离子束刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 16:03:37 游览次数：8
那诺-马斯特 NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统

自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、I

Etching刻蚀系统 ICP及DRIE刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 16:03:37 游览次数：8
刻蚀设备 NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀那诺-马斯特

全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽

Etching刻蚀系统 ICP及DRIE刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 16:03:36 游览次数：9
刻蚀机 NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀那诺-马斯特

独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到1

Etching刻蚀系统 RIE反应离子刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 16:03:36 游览次数：9
反应离子刻蚀 RIE刻蚀机那诺-马斯特

RIE刻蚀机概述：RIE系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口：一个带有2"的视窗,另一个空置用

Etching刻蚀系统 RIE反应离子刻蚀系统
更新时间：2024-06-22 16:03:36 游览次数：8
PLD镀膜 NPD-4000（A）全自动PLD脉冲激光沉积系统那诺-马斯特

1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性； 2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀； 3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制； 4. 发展潜力巨大

Deposition沉积系统 PLD脉冲激光沉积
更新时间：2024-06-22 16:03:36 游览次数：9
脉冲激光沉积 NPD-4000（M）PLD脉冲激光沉积系统那诺-马斯特

1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性； 2. 沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀； 3. 工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制； 4. 发展潜力巨大

Deposition沉积系统 PLD脉冲激光沉积
更新时间：2024-06-22 16:03:36 游览次数：9
plasma设备 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统那诺-马斯特

NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，具有分形气流分布优势.样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加

Deposition沉积系统 PECVD等离子化学气相沉积系统
更新时间：2024-06-22 16:03:36 游览次数：10
PECVD镀膜设备 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统那诺-马斯特

NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势

Deposition沉积系统 PECVD等离子化学气相沉积系统
更新时间：2024-06-22 16:03:35 游览次数：7